ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (ସିସି) ସିରାମିକ୍ ପାଉଡର |ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଶକ୍ତି, ଭଲ ଅକ୍ସିଡେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ, ଉଚ୍ଚ ପରିଧାନ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ତାପଜ ସ୍ଥିରତା, ଛୋଟ ତାପଜ ବିସ୍ତାର କୋଏଫିସିଣ୍ଟେଣ୍ଟ, ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ଚାଳନା, ଉତ୍ତମ ରାସାୟନିକ ସ୍ଥିରତା ଇତ୍ୟାଦିର ସୁବିଧା ଅଛି, ତେଣୁ ଏହା ପ୍ରାୟତ comb ଜାଳେଣୀ ଚାମ୍ବର, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ନିର୍ବାହରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଉପକରଣ, ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧକ ପ୍ୟାଚ୍, ବିମାନ ଇଞ୍ଜିନ୍ ଉପାଦାନ, ରାସାୟନିକ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଜାହାଜ, ଉତ୍ତାପ ଏକ୍ସଚେଞ୍ଜର ଟ୍ୟୁବ୍ ଏବଂ କଠିନ ପରିସ୍ଥିତିରେ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଉପାଦାନ, ଏବଂ ଏହା ଏକ ବହୁଳ ବ୍ୟବହୃତ ଉନ୍ନତ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ ସାମଗ୍ରୀ |ବିକାଶ ଅଧୀନରେ ଥିବା ଉଚ୍ଚ-ବ tech ଷୟିକ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏହା କେବଳ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରେ ନାହିଁ (ଯେପରିକି ସେରାମିକ୍ ଇଞ୍ଜିନ୍, ମହାକାଶଯାନ ଇତ୍ୟାଦି), ବରଂ ବର୍ତ୍ତମାନର ଶକ୍ତି, ଧାତୁ, ଯନ୍ତ୍ରପାତି, ନିର୍ମାଣ ସାମଗ୍ରୀରେ ବିକଶିତ ହେବାକୁ ଥିବା ଏକ ବ୍ୟାପକ ବଜାର ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ର ମଧ୍ୟ ଅଛି | , ରାସାୟନିକ ଶିଳ୍ପ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କ୍ଷେତ୍ର |

ର ପ୍ରସ୍ତୁତି ପଦ୍ଧତି |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାଉଡର୍ |ମୁଖ୍ୟତ three ତିନୋଟି ଶ୍ରେଣୀରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇପାରେ: କଠିନ ଚରଣ ପଦ୍ଧତି, ତରଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପଦ୍ଧତି ଏବଂ ଗ୍ୟାସ ଚରଣ ପଦ୍ଧତି |

1. କଠିନ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପଦ୍ଧତି |

କଠିନ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପଦ୍ଧତିରେ ମୁଖ୍ୟତ car କାର୍ବୋଥର୍ମାଲ୍ ହ୍ରାସ ପଦ୍ଧତି ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବନ ପ୍ରତ୍ୟକ୍ଷ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପଦ୍ଧତି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |କାର୍ବୋଥର୍ମାଲ୍ ହ୍ରାସ ପଦ୍ଧତିଗୁଡ଼ିକରେ ଆକେସନ୍ ପଦ୍ଧତି, ଭର୍ଟିକାଲ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ପଦ୍ଧତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା କନଭର୍ଟର ପଦ୍ଧତି ମଧ୍ୟ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାଉଡର |ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ (ପ୍ରାୟ 2400 ℃) ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍ ହ୍ରାସ କରିବାକୁ କୋକ୍ ବ୍ୟବହାର କରି ଆକେସନ୍ ପଦ୍ଧତି ଦ୍ prepared ାରା ପ୍ରସ୍ତୁତି କରାଯାଇଥିଲା, କିନ୍ତୁ ଏହି ପଦ୍ଧତି ଦ୍ obtained ାରା ପ୍ରାପ୍ତ ପାଉଡରର ଏକ ବଡ଼ କଣିକା ଆକାର (> 1 ମିମି) ଥାଏ, ବହୁ ଶକ୍ତି ଖର୍ଚ୍ଚ କରିଥାଏ ଏବଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ହେଉଛି | ଜଟିଳ1980 ଦଶକରେ β-SiC ପାଉଡରକୁ ସିନ୍ଥାଇଜ୍ କରିବା ପାଇଁ ନୂତନ ଯନ୍ତ୍ରପାତି ଦେଖାଗଲା, ଯେପରିକି ଭୂଲମ୍ବ ଚୁଲା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା କନଭର୍ଟର |ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଏବଂ କଠିନରେ ଥିବା ରାସାୟନିକ ପଦାର୍ଥ ମଧ୍ୟରେ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଏବଂ ସ୍ pol ତନ୍ତ୍ର ପଲିମେରାଇଜେସନ୍ ଧୀରେ ଧୀରେ ସ୍ପଷ୍ଟ ହୋଇସାରିଛି, ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ଗରମ ଦ୍ୱାରା ସିକ୍ ପାଉଡରକୁ ସିନ୍ଥାଇଜ୍ କରିବାର ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଅଧିକ ପରିପକ୍ୱ ହୋଇପାରିଛି |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବନ ପ୍ରତ୍ୟକ୍ଷ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପ୍ରଣାଳୀରେ ସ୍ୱ-ପ୍ରସାରିତ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ସିନ୍ଥେସିସ୍ (SHS) ଏବଂ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଆଲୋଇଙ୍ଗ୍ ପଦ୍ଧତି ମଧ୍ୟ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |SHS ହ୍ରାସ ସିନ୍ଥେସିସ୍ ପଦ୍ଧତି ଉତ୍ତାପର ଅଭାବ ପାଇଁ SiO2 ଏବଂ Mg ମଧ୍ୟରେ ଥିବା ଏକ୍ସୋଥର୍ମିକ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାକୁ ବ୍ୟବହାର କରେ |Theସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାଉଡର୍ |ଏହି ପଦ୍ଧତି ଦ୍ obtained ାରା ପ୍ରାପ୍ତ ହୋଇଥିବା ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା ଏବଂ କ୍ଷୁଦ୍ର କଣିକା ଆକାର ଅଛି, କିନ୍ତୁ ଉତ୍ପାଦରେ Mg ପରବର୍ତ୍ତୀ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଯେପରିକି ପିକଲିଂ ଦ୍ୱାରା ଅପସାରଣ କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ |

2 ତରଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପଦ୍ଧତି |

ତରଳ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପଦ୍ଧତିରେ ମୁଖ୍ୟତ sol ସୋଲ-ଜେଲ ପଦ୍ଧତି ଏବଂ ପଲିମର ଥର୍ମାଲ୍ ବିଚ୍ଛେଦ ପଦ୍ଧତି ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |ସଠିକ୍ ସୋଲ୍-ଜେଲ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ୱାରା ସି ଏବଂ ସି ଧାରଣ କରିଥିବା ଜେଲ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିବାର ଏକ ପଦ୍ଧତି ହେଉଛି ସୋଲ-ଜେଲ୍ ପଦ୍ଧତି, ଏବଂ ତାପରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାଇବା ପାଇଁ ପାଇରୋଲାଇସିସ୍ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା କାର୍ବୋଥର୍ମାଲ୍ ହ୍ରାସ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପାଇଁ ଜ organic ବ ପଲିମରର ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା କ୍ଷୟ ହେଉଛି ଏକ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା: ଗୋଟିଏ ହେଉଛି ଜେଲ୍ ପଲିସିଲୋକ୍ସନ୍ ଗରମ କରିବା, ଛୋଟ ମନୋମର ମୁକ୍ତ କରିବା ପାଇଁ କ୍ଷୟ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା, ଏବଂ ଶେଷରେ SiO2 ଏବଂ C ଗଠନ, ଏବଂ ତାପରେ SiC ପାଉଡର ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଅଙ୍ଗାରକାମ୍ଳ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଦ୍ୱାରା |ଅନ୍ୟଟି ହେଉଛି ପଲିସିଲେନ୍ କିମ୍ବା ପଲିକାର୍ବୋସିଲାନକୁ ଗରମ କରିବା, ଏକ କଙ୍କାଳ ଗଠନ ପାଇଁ ଛୋଟ ମନୋମର ମୁକ୍ତ କରିବା ଏବଂ ଶେଷରେ ଗଠନ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାଉଡର୍ |

3 ଗ୍ୟାସ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପଦ୍ଧତି |

ବର୍ତ୍ତମାନ, ଗ୍ୟାସ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ସିନ୍ଥେସିସ୍ |ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ |ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଜ organic ବ ପଦାର୍ଥକୁ କ୍ଷୟ କରିବା ପାଇଁ ସେରାମିକ୍ ଅଲ୍ଟ୍ରାଫାଇନ୍ ପାଉଡର ମୁଖ୍ୟତ gas ଗ୍ୟାସ୍ ଫେଜ୍ ଡିପୋଜିଟେସନ୍ (CVD), ପ୍ଲାଜମା ଇଣ୍ଡୁକେଡ୍ CVD, ଲେଜର ଇଣ୍ଡୁକେଡ୍ CVD ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବ୍ୟବହାର କରିଥାଏ |ପ୍ରାପ୍ତ ପାଉଡରରେ ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା, ଛୋଟ କଣିକା ଆକାର, କମ୍ କଣିକା ଏକତ୍ରିକରଣ ଏବଂ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ସହଜ ନିୟନ୍ତ୍ରଣର ସୁବିଧା ଅଛି |ବର୍ତ୍ତମାନ ଏହା ଏକ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଉନ୍ନତ ପଦ୍ଧତି, କିନ୍ତୁ ଅଧିକ ମୂଲ୍ୟ ଏବଂ କମ୍ ଅମଳ ସହିତ, ବହୁ ଉତ୍ପାଦନ ହାସଲ କରିବା ସହଜ ନୁହେଁ, ଏବଂ ବିଶେଷ ଆବଶ୍ୟକତା ସହିତ ଲାବୋରେଟୋରୀ ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦ ତିଆରି ପାଇଁ ଅଧିକ ଉପଯୁକ୍ତ |

ବର୍ତ୍ତମାନ,ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ପାଉଡର୍ |ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଛି ମୁଖ୍ୟତ sub ସବମିକ୍ରନ୍ କିମ୍ବା ନାନୋ ଲେଭଲ୍ ପାଉଡର, କାରଣ ପାଉଡର କଣିକାର ଆକାର ଛୋଟ, ଉଚ୍ଚ ପୃଷ୍ଠ କାର୍ଯ୍ୟକଳାପ, ତେଣୁ ମୁଖ୍ୟ ସମସ୍ୟା ହେଉଛି ପାଉଡର ଏକତ୍ରିକରଣ ଉତ୍ପାଦନ କରିବା ସହଜ, ଏହାକୁ ରୋକିବା କିମ୍ବା ପ୍ରତିରୋଧ କରିବା ପାଇଁ ପାଉଡରର ପୃଷ୍ଠକୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ | ପାଉଡରର ଦ୍ secondary ିତୀୟ ଏକତ୍ରିକରଣ |ବର୍ତ୍ତମାନ, ସିସି ପାଉଡରର ବିସର୍ଜନ ପ୍ରଣାଳୀରେ ମୁଖ୍ୟତ the ନିମ୍ନଲିଖିତ ଶ୍ରେଣୀଗୁଡ଼ିକ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ: ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ପୃଷ୍ଠ ପରିବର୍ତ୍ତନ, ଧୋଇବା, ପାଉଡରର ବିସର୍ଜନ ଚିକିତ୍ସା, ଅଜ ic ବିକ ଆବରଣ ପରିବର୍ତ୍ତନ, ଜ organic ବ ଆବରଣ ପରିବର୍ତ୍ତନ |